Buy Vishay Siliconix SQ2361EES-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SQ2361EES-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23

Numărul piesei

SQ2361EES-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-23-3 (TO-236)

Disiparea puterii (max.)

2W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

545pF @ 30V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 14412 PCS

Informații de contact