Buy Vishay Siliconix SIZ926DT-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR

Numărul piesei

SIZ926DT-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerWDFN

Putere - Max

20.2W, 40W

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-PowerPair® (6x5)

Tip FET

2 N-Channel (Dual)

Caracteristica FET

Standard

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

25V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

40A (Tc), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V, 41nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

925pF @ 10V, 2150pF @ 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 41562 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR