Buy Vishay Siliconix SISH434DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SISH434DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 40V PPAK 1212-8SH

Numărul piesei

SISH434DN-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® 1212-8SH

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® 1212-8SH

Disiparea puterii (max.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

17.6A (Ta), 35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6 mOhm @ 16.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1530pF @ 20V

Vgs (Max)

±20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 12579 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH