Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SISA18DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
Numărul piesei
SISA18DN-T1-GE3
Stare piese
Discontinued at Digi-Key
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® 1212-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® 1212-8
Disiparea puterii (max.)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 47987 PCS
Cuvinte cheie ale SISA18DN-T1-GE3
SISA18DN-T1-GE3 Componente electronice
SISA18DN-T1-GE3 Vânzări
SISA18DN-T1-GE3 Furnizor
SISA18DN-T1-GE3 Distribuitor
SISA18DN-T1-GE3 Tabel de date
SISA18DN-T1-GE3 Fotografii
SISA18DN-T1-GE3 Preț
SISA18DN-T1-GE3 Oferi
SISA18DN-T1-GE3 Cel mai mic pret
SISA18DN-T1-GE3 Căutare
SISA18DN-T1-GE3 Achizitie
SISA18DN-T1-GE3 Chip