Buy Vishay Siliconix SIRA12DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIRA12DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Numărul piesei

SIRA12DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

4.5W (Ta), 31W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.3 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

45nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36345 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIRA00DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8