Buy Vishay Siliconix SIR826DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIR826DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Numărul piesei

SIR826DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

80V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 40V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 15828 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8