Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SIHH14N60E-T1-GE3

SIHH14N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 16A POWERPAK8X8
Numărul piesei
SIHH14N60E-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-PowerTDFN
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® 8 x 8
Disiparea puterii (max.)
147W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
255 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1416pF @ 100V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 39258 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SIHH14N60E-T1-GE3
SIHH14N60E-T1-GE3 Componente electronice
SIHH14N60E-T1-GE3 Vânzări
SIHH14N60E-T1-GE3 Furnizor
SIHH14N60E-T1-GE3 Distribuitor
SIHH14N60E-T1-GE3 Tabel de date
SIHH14N60E-T1-GE3 Fotografii
SIHH14N60E-T1-GE3 Preț
SIHH14N60E-T1-GE3 Oferi
SIHH14N60E-T1-GE3 Cel mai mic pret
SIHH14N60E-T1-GE3 Căutare
SIHH14N60E-T1-GE3 Achizitie
SIHH14N60E-T1-GE3 Chip