Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Numărul piesei
SIHG80N60E-GE3
Producator/Marca
Serie
E
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247AC
Disiparea puterii (max.)
520W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
443nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 100V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±30V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 24178 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SIHG80N60E-GE3
SIHG80N60E-GE3 Componente electronice
SIHG80N60E-GE3 Vânzări
SIHG80N60E-GE3 Furnizor
SIHG80N60E-GE3 Distribuitor
SIHG80N60E-GE3 Tabel de date
SIHG80N60E-GE3 Fotografii
SIHG80N60E-GE3 Preț
SIHG80N60E-GE3 Oferi
SIHG80N60E-GE3 Cel mai mic pret
SIHG80N60E-GE3 Căutare
SIHG80N60E-GE3 Achizitie
SIHG80N60E-GE3 Chip