Buy Vishay Siliconix SIE836DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIE836DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK

Numărul piesei

SIE836DF-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

10-PolarPAK® (SH)

Pachetul dispozitivului furnizorului

10-PolarPAK® (SH)

Disiparea puterii (max.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

18.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 100V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 39576 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK