Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SIE820DF-T1-GE3

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
Numărul piesei
SIE820DF-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
10-PolarPAK® (S)
Pachetul dispozitivului furnizorului
10-PolarPAK® (S)
Disiparea puterii (max.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4300pF @ 10V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 39267 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SIE820DF-T1-GE3
SIE820DF-T1-GE3 Componente electronice
SIE820DF-T1-GE3 Vânzări
SIE820DF-T1-GE3 Furnizor
SIE820DF-T1-GE3 Distribuitor
SIE820DF-T1-GE3 Tabel de date
SIE820DF-T1-GE3 Fotografii
SIE820DF-T1-GE3 Preț
SIE820DF-T1-GE3 Oferi
SIE820DF-T1-GE3 Cel mai mic pret
SIE820DF-T1-GE3 Căutare
SIE820DF-T1-GE3 Achizitie
SIE820DF-T1-GE3 Chip