Buy Vishay Siliconix SIE820DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIE820DF-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK

Numărul piesei

SIE820DF-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

10-PolarPAK® (S)

Pachetul dispozitivului furnizorului

10-PolarPAK® (S)

Disiparea puterii (max.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

50A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5 mOhm @ 18A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

143nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

4300pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±12V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 39267 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK