Buy Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 60V

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIDR626DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60V

Numărul piesei

SIDR626DP-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8DC

Disiparea puterii (max.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

42.8A (Ta), 100A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

102nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5130pF @ 30V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 28109 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC