Buy Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6

Numărul piesei

SIA427DJ-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SC-70-6

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disiparea puterii (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 8.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 4V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 54554 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70