Buy Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Numărul piesei

SIA413DJ-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SC-70-6

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SC-70-6 Single

Disiparea puterii (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 44656 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70