Buy Vishay Siliconix SI8806DB-T2-E1 MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI8806DB-T2-E1

MOSFET N-CH 12V MICROFOOT

Numărul piesei

SI8806DB-T2-E1

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

4-XFBGA

Pachetul dispozitivului furnizorului

4-Microfoot

Disiparea puterii (max.)

500mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

43 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 21885 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI8800EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 20V MICROFOOT