Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI7858ADP-T1-E3

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
Numărul piesei
SI7858ADP-T1-E3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® SO-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® SO-8
Disiparea puterii (max.)
1.9W (Ta)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 29A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 6V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
2.5V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 52423 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI7858ADP-T1-E3
SI7858ADP-T1-E3 Componente electronice
SI7858ADP-T1-E3 Vânzări
SI7858ADP-T1-E3 Furnizor
SI7858ADP-T1-E3 Distribuitor
SI7858ADP-T1-E3 Tabel de date
SI7858ADP-T1-E3 Fotografii
SI7858ADP-T1-E3 Preț
SI7858ADP-T1-E3 Oferi
SI7858ADP-T1-E3 Cel mai mic pret
SI7858ADP-T1-E3 Căutare
SI7858ADP-T1-E3 Achizitie
SI7858ADP-T1-E3 Chip