Buy Vishay Siliconix SI7858ADP-T1-E3 MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI7858ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

Numărul piesei

SI7858ADP-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® SO-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® SO-8

Disiparea puterii (max.)

1.9W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 29A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

5700pF @ 6V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 52423 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI7802DN-T1-E3

MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8