Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Numărul piesei
SI7489DP-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® SO-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® SO-8
Disiparea puterii (max.)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 50V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 10308 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI7489DP-T1-GE3
SI7489DP-T1-GE3 Componente electronice
SI7489DP-T1-GE3 Vânzări
SI7489DP-T1-GE3 Furnizor
SI7489DP-T1-GE3 Distribuitor
SI7489DP-T1-GE3 Tabel de date
SI7489DP-T1-GE3 Fotografii
SI7489DP-T1-GE3 Preț
SI7489DP-T1-GE3 Oferi
SI7489DP-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI7489DP-T1-GE3 Căutare
SI7489DP-T1-GE3 Achizitie
SI7489DP-T1-GE3 Chip