Buy Vishay Siliconix SI7129DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI7129DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8

Numărul piesei

SI7129DN-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

PowerPAK® 1212-8

Pachetul dispozitivului furnizorului

PowerPAK® 1212-8

Disiparea puterii (max.)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 14.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3345pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 51953 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8