Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8
Numărul piesei
SI7116DN-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® 1212-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® 1212-8
Disiparea puterii (max.)
1.5W (Ta)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.8 mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 49349 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI7116DN-T1-GE3
SI7116DN-T1-GE3 Componente electronice
SI7116DN-T1-GE3 Vânzări
SI7116DN-T1-GE3 Furnizor
SI7116DN-T1-GE3 Distribuitor
SI7116DN-T1-GE3 Tabel de date
SI7116DN-T1-GE3 Fotografii
SI7116DN-T1-GE3 Preț
SI7116DN-T1-GE3 Oferi
SI7116DN-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI7116DN-T1-GE3 Căutare
SI7116DN-T1-GE3 Achizitie
SI7116DN-T1-GE3 Chip