Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8
Numărul piesei
SI7115DN-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
PowerPAK® 1212-8
Pachetul dispozitivului furnizorului
PowerPAK® 1212-8
Disiparea puterii (max.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
295 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 50V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 20710 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI7115DN-T1-GE3
SI7115DN-T1-GE3 Componente electronice
SI7115DN-T1-GE3 Vânzări
SI7115DN-T1-GE3 Furnizor
SI7115DN-T1-GE3 Distribuitor
SI7115DN-T1-GE3 Tabel de date
SI7115DN-T1-GE3 Fotografii
SI7115DN-T1-GE3 Preț
SI7115DN-T1-GE3 Oferi
SI7115DN-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI7115DN-T1-GE3 Căutare
SI7115DN-T1-GE3 Achizitie
SI7115DN-T1-GE3 Chip