Buy Vishay Siliconix SI5513CDC-T1-E3 MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

Numărul piesei

SI5513CDC-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SMD, Flat Lead

Putere - Max

3.1W

Pachetul dispozitivului furnizorului

Tip FET

N and P-Channel

Caracteristica FET

Logic Level Gate

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4A, 3.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

285pF @ 10V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 30670 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI5504BDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8