Buy Vishay Siliconix SI5456DU-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI5456DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET

Numărul piesei

SI5456DU-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-PowerVDFN

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)

Disiparea puterii (max.)

3.1W (Ta), 31W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 34358 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8