Buy Vishay Siliconix SI4840BDY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI4840BDY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 19A 8SOIC

Numărul piesei

SI4840BDY-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

2.5W (Ta), 6W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

19A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 mOhm @ 12.4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 20V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 6909 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800,518

MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1

NXP USA Inc.

SI4800BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC