Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI4666DY-T1-GE3

SI4666DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
Numărul piesei
SI4666DY-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachetul dispozitivului furnizorului
8-SO
Disiparea puterii (max.)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1145pF @ 10V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±12V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 18055 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI4666DY-T1-GE3
SI4666DY-T1-GE3 Componente electronice
SI4666DY-T1-GE3 Vânzări
SI4666DY-T1-GE3 Furnizor
SI4666DY-T1-GE3 Distribuitor
SI4666DY-T1-GE3 Tabel de date
SI4666DY-T1-GE3 Fotografii
SI4666DY-T1-GE3 Preț
SI4666DY-T1-GE3 Oferi
SI4666DY-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI4666DY-T1-GE3 Căutare
SI4666DY-T1-GE3 Achizitie
SI4666DY-T1-GE3 Chip