Buy Vishay Siliconix SI4654DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI4654DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Numărul piesei

SI4654DY-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

2.5W (Ta), 5.9W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

25V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

28.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

100nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

3770pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±16V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 5088 PCS

Informații de contact