Buy Vishay Siliconix SI4563DY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI4563DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 8A 8-SOIC

Numărul piesei

SI4563DY-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Putere - Max

3.25W

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Tip FET

N and P-Channel

Caracteristica FET

Standard

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

85nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

2390pF @ 20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 30702 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI4500BDY-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 6.6A 8SOIC