Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI4442DY-T1-E3

SI4442DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
Numărul piesei
SI4442DY-T1-E3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachetul dispozitivului furnizorului
8-SO
Disiparea puterii (max.)
1.6W (Ta)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
2.5V, 10V
Vgs (Max)
±12V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 51386 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3 Componente electronice
SI4442DY-T1-E3 Vânzări
SI4442DY-T1-E3 Furnizor
SI4442DY-T1-E3 Distribuitor
SI4442DY-T1-E3 Tabel de date
SI4442DY-T1-E3 Fotografii
SI4442DY-T1-E3 Preț
SI4442DY-T1-E3 Oferi
SI4442DY-T1-E3 Cel mai mic pret
SI4442DY-T1-E3 Căutare
SI4442DY-T1-E3 Achizitie
SI4442DY-T1-E3 Chip