Buy Vishay Siliconix SI4435DDY-T1-E3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI4435DDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Numărul piesei

SI4435DDY-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

30V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

11.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 9.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1350pF @ 15V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 54041 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC