Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI4418DY-T1-GE3

SI4418DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
Numărul piesei
SI4418DY-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Cut Tape (CT)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachetul dispozitivului furnizorului
8-SO
Disiparea puterii (max.)
1.5W (Ta)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 33805 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI4418DY-T1-GE3
SI4418DY-T1-GE3 Componente electronice
SI4418DY-T1-GE3 Vânzări
SI4418DY-T1-GE3 Furnizor
SI4418DY-T1-GE3 Distribuitor
SI4418DY-T1-GE3 Tabel de date
SI4418DY-T1-GE3 Fotografii
SI4418DY-T1-GE3 Preț
SI4418DY-T1-GE3 Oferi
SI4418DY-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI4418DY-T1-GE3 Căutare
SI4418DY-T1-GE3 Achizitie
SI4418DY-T1-GE3 Chip