Buy Vishay Siliconix SI4418DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI4418DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

Numărul piesei

SI4418DY-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

1.5W (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

2.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 33805 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC