Buy Vishay Siliconix SI4403BDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI4403BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 7.3A 8SOIC

Numărul piesei

SI4403BDY-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pachetul dispozitivului furnizorului

8-SO

Disiparea puterii (max.)

1.35W (Ta)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

7.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 9.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 350µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 25035 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC