Buy Vishay Siliconix SI3495DV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI3495DV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

Numărul piesei

SI3495DV-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pachetul dispozitivului furnizorului

6-TSOP

Disiparea puterii (max.)

1.1W (Ta)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

5.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

750mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 44863 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN