Buy Vishay Siliconix SI3476DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI3476DV-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6

Numărul piesei

SI3476DV-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Digi-Reel®

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pachetul dispozitivului furnizorului

6-TSOP

Disiparea puterii (max.)

2W (Ta), 3.6W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

80V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

4.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

93 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

195pF @ 40V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 8082 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN