Buy Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI3475DV-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Numărul piesei

SI3475DV-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pachetul dispozitivului furnizorului

6-TSOP

Disiparea puterii (max.)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

950mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.61 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

500pF @ 50V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 26823 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN