Buy Vishay Siliconix SI3447CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI3447CDV-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Numărul piesei

SI3447CDV-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Last Time Buy

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pachetul dispozitivului furnizorului

Disiparea puterii (max.)

2W (Ta), 3W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

7.8A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36 mOhm @ 6.3A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 8V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

910pF @ 6V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 11563 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN