Buy Vishay Siliconix SI2342DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI2342DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Numărul piesei

SI2342DS-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-23

Disiparea puterii (max.)

1.3W (Ta), 2.5W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 7.2A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1070pF @ 4V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 5427 PCS

Informații de contact