Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23
Numărul piesei
SI2336DS-T1-GE3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Active
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-23-3 (TO-236)
Disiparea puterii (max.)
1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 15V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 27406 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI2336DS-T1-GE3
SI2336DS-T1-GE3 Componente electronice
SI2336DS-T1-GE3 Vânzări
SI2336DS-T1-GE3 Furnizor
SI2336DS-T1-GE3 Distribuitor
SI2336DS-T1-GE3 Tabel de date
SI2336DS-T1-GE3 Fotografii
SI2336DS-T1-GE3 Preț
SI2336DS-T1-GE3 Oferi
SI2336DS-T1-GE3 Cel mai mic pret
SI2336DS-T1-GE3 Căutare
SI2336DS-T1-GE3 Achizitie
SI2336DS-T1-GE3 Chip