Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Numărul piesei
SI2323DS-T1
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-23-3 (TO-236)
Disiparea puterii (max.)
750mW (Ta)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 10V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 5904 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI2323DS-T1
SI2323DS-T1 Componente electronice
SI2323DS-T1 Vânzări
SI2323DS-T1 Furnizor
SI2323DS-T1 Distribuitor
SI2323DS-T1 Tabel de date
SI2323DS-T1 Fotografii
SI2323DS-T1 Preț
SI2323DS-T1 Oferi
SI2323DS-T1 Cel mai mic pret
SI2323DS-T1 Căutare
SI2323DS-T1 Achizitie
SI2323DS-T1 Chip