Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
Numărul piesei
SI2308DS-T1-E3
Producator/Marca
Serie
TrenchFET®
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Digi-Reel®
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
SOT-23-3 (TO-236)
Disiparea puterii (max.)
1.25W (Ta)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
240pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 30264 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale SI2308DS-T1-E3
SI2308DS-T1-E3 Componente electronice
SI2308DS-T1-E3 Vânzări
SI2308DS-T1-E3 Furnizor
SI2308DS-T1-E3 Distribuitor
SI2308DS-T1-E3 Tabel de date
SI2308DS-T1-E3 Fotografii
SI2308DS-T1-E3 Preț
SI2308DS-T1-E3 Oferi
SI2308DS-T1-E3 Cel mai mic pret
SI2308DS-T1-E3 Căutare
SI2308DS-T1-E3 Achizitie
SI2308DS-T1-E3 Chip