Buy Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-E3 MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI2305ADS-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3

Numărul piesei

SI2305ADS-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-23-3 (TO-236)

Disiparea puterii (max.)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

5.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 4.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 4V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36529 PCS

Informații de contact