Buy Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Foi de date

SI2301CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Numărul piesei

SI2301CDS-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Cut Tape (CT)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pachetul dispozitivului furnizorului

SOT-23-3 (TO-236)

Disiparea puterii (max.)

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

3.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

2.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 32344 PCS

Informații de contact