Buy Vishay Siliconix SI1067X-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI1067X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 1.06A SOT563F

Numărul piesei

SI1067X-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-563, SOT-666

Pachetul dispozitivului furnizorului

SC-89-6

Disiparea puterii (max.)

236mW (Ta)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150 mOhm @ 1.06A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

9.3nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

375pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 22105 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN