Buy Vishay Siliconix SI1050X-T1-GE3 MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI1050X-T1-GE3

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Numărul piesei

SI1050X-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SOT-563, SOT-666

Pachetul dispozitivului furnizorului

SC-89-6

Disiparea puterii (max.)

236mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

1.34A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86 mOhm @ 1.34A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

585pF @ 4V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 38055 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN