Buy Vishay Siliconix SI1021R-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI1021R-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Numărul piesei

SI1021R-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SC-75A

Pachetul dispozitivului furnizorului

SC-75A

Disiparea puterii (max.)

250mW (Ta)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

60V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

190mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

23pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 34392 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN