Buy Vishay Siliconix SI1012R-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI1012R-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Numărul piesei

SI1012R-T1-E3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SC-75A

Pachetul dispozitivului furnizorului

SC-75A

Disiparea puterii (max.)

150mW (Ta)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

20V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±6V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la chen_hx1688@hotmail.com, vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 49664 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN