Buy Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V SC-89

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

SI1011X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V SC-89

Numărul piesei

SI1011X-T1-GE3

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Stare piese

Last Time Buy

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

SC-89, SOT-490

Pachetul dispozitivului furnizorului

SC-89-3

Disiparea puterii (max.)

190mW (Ta)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

12V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

Rds On (Max) @ Id, Vgs

640 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

62pF @ 6V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

1.2V, 4.5V

Vgs (Max)

±5V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 20196 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN