Buy Vishay Siliconix IRFSL9N60APBF MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

IRFSL9N60APBF

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262

Numărul piesei

IRFSL9N60APBF

Producator/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Stare piese

Active

Ambalare

Tube

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet / Cutie

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Pachetul dispozitivului furnizorului

I2PAK

Disiparea puterii (max.)

170W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

600V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

9.2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 39839 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

IRFS11N50A

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK