Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRFPE50PBF

IRFPE50PBF

MOSFET N-CH 800V 7.8A TO-247AC
Numărul piesei
IRFPE50PBF
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Active
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-247-3
Pachetul dispozitivului furnizorului
TO-247-3
Disiparea puterii (max.)
190W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.2 Ohm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 10450 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRFPE50PBF
IRFPE50PBF Componente electronice
IRFPE50PBF Vânzări
IRFPE50PBF Furnizor
IRFPE50PBF Distribuitor
IRFPE50PBF Tabel de date
IRFPE50PBF Fotografii
IRFPE50PBF Preț
IRFPE50PBF Oferi
IRFPE50PBF Cel mai mic pret
IRFPE50PBF Căutare
IRFPE50PBF Achizitie
IRFPE50PBF Chip