Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
IRF9Z14L

IRF9Z14L

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262
Numărul piesei
IRF9Z14L
Producator/Marca
Serie
-
Stare piese
Obsolete
Ambalare
Tube
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Cutie
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pachetul dispozitivului furnizorului
I2PAK
Disiparea puterii (max.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Tip FET
P-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
6.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
270pF @ 25V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 10508 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale IRF9Z14L
IRF9Z14L Componente electronice
IRF9Z14L Vânzări
IRF9Z14L Furnizor
IRF9Z14L Distribuitor
IRF9Z14L Tabel de date
IRF9Z14L Fotografii
IRF9Z14L Preț
IRF9Z14L Oferi
IRF9Z14L Cel mai mic pret
IRF9Z14L Căutare
IRF9Z14L Achizitie
IRF9Z14L Chip