Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Numărul piesei
TPN2R805PL,L1Q
Serie
U-MOSIX-H
Stare piese
Active
Ambalare
-
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de Operare
175°C
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Cutie
8-PowerVDFN
Pachetul dispozitivului furnizorului
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Disiparea puterii (max.)
2.67W (Ta), 104W (Tc)
Tip FET
N-Channel
Caracteristica FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
45V
Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C
139A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 300µA
Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3.2nF @ 22.5V
Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Solicitați cotație
Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.
În stoc 51771 PCS
Informații de contact
Cuvinte cheie ale TPN2R805PL,L1Q
TPN2R805PL,L1Q Componente electronice
TPN2R805PL,L1Q Vânzări
TPN2R805PL,L1Q Furnizor
TPN2R805PL,L1Q Distribuitor
TPN2R805PL,L1Q Tabel de date
TPN2R805PL,L1Q Fotografii
TPN2R805PL,L1Q Preț
TPN2R805PL,L1Q Oferi
TPN2R805PL,L1Q Cel mai mic pret
TPN2R805PL,L1Q Căutare
TPN2R805PL,L1Q Achizitie
TPN2R805PL,L1Q Chip