Buy Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L(T6L1,NQ MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

MOSFET P-CH 40V 20A DPAK-3

Numărul piesei

TJ20S04M3L(T6L1,NQ

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

Stare piese

Active

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

175°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

DPAK+

Disiparea puterii (max.)

41W (Tc)

Tip FET

P-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

40V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

20A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22.2 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1850pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

6V, 10V

Vgs (Max)

+10V, -20V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 36233 PCS

Informații de contact

produse asemanatoare

TJ2011020000G

TERM BLOCK PLUG 20POS STR 3.5MM