Buy Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3309(TE24L,Q) MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Imaginea poate fi reprezentativă.
Consultați specificațiile pentru detalii despre produs.

Vezi mai multe informații Foi de date

2SK3309(TE24L,Q)

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Numărul piesei

2SK3309(TE24L,Q)

Producator/Marca

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

Stare piese

Obsolete

Ambalare

Tape & Reel (TR)

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de Operare

150°C (TJ)

Tip de montare

Surface Mount

Pachet / Cutie

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pachetul dispozitivului furnizorului

TO-220SM

Disiparea puterii (max.)

65W (Tc)

Tip FET

N-Channel

Caracteristica FET

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

450V

Curent - Drenaj continuu (Id) la 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Taxă de poartă (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 10V

Tensiune de antrenare (Rds maxim activat, Rds min activat)

10V

Vgs (Max)

±30V

Solicitați cotație

Vă rugăm să completați toate câmpurile obligatorii și să faceți clic pe „TRIMITERE”, vă vom contacta în 12 ore prin e-mail. Dacă aveți vreo problemă, lăsați mesaje sau e-mail la [email protected], vom răspunde cât mai curând posibil.

În stoc 25973 PCS

Informații de contact